光敏二极管的主要特性参数

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①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。
　②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。
　　③光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856K钨丝光源，照度为10001x。
　　④光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μA/μW。
隔　⑤响应时间Tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。
　　⑥正向压降VF:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。
　　⑦结电容Cj:指光敏二极管PN结的电容。Cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小，结电容Cj也就越小，则工作频率越高。