MJD112-1G的技术参数

详细内容

产品型号:MJD112-1G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):2
直流电流增益hFE最小值(dB):500
直流电流增益hFE最大值(dB):12000
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
价格/1片(套):暂无