NTP22N06的技术参数
详细内容
产品型号:NTP22N06
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):22
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:30A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):¥4.50
产品型号:NTP22N06
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):22
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:30A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):¥4.50