NTP65N02R的技术参数

详细内容

产品型号:NTP65N02R
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
最大漏极电流Id(on)(A):65
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
描述:75A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):￥5.70