TPS1120DR的技术参数

详细内容

产品型号:TPS1120DR
FET数:2
漏源电压(V):-15
持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700
静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双路P沟道增强方式MOSFET
价格/1片(套):￥13.40